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產(chǎn)品詳情

  • 產(chǎn)品名稱(chēng)：SAMCO量產(chǎn)用液體源 CVD? 設備 PD-270STLC

  • 產(chǎn)品型號：
  • 產(chǎn)品廠(chǎng)商：SAMCO薩姆肯
  • 產(chǎn)品價(jià)格：0
  • 折扣價(jià)格：0
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簡(jiǎn)單介紹：
PD-270STLC 是一種低溫、高速等離子 CVD 設備，用于通過(guò) TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液體材料。
詳情介紹：

概述

PD-270STLC 是一種低溫、高速等離子 CVD 設備，用于通過(guò) TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液體材料。 獨特的自偏置方法可實(shí)現從薄膜到厚膜的低應力高質(zhì)量氧化硅膜的沉積。 配備負載鎖室，工藝穩定性好。 可通過(guò) ±236mm 托盤(pán)同時(shí)沉積多個(gè)小直徑晶圓，如果為 ±4 英寸晶圓，則可以安裝 3 個(gè)晶圓。

配備大氣輸送盒室，是能夠連續自動(dòng)輸送的批量生產(chǎn)用裝置。

特點(diǎn)

良好的薄膜厚度均勻性和穩定性

±4 inch×3片同時(shí)成膜時(shí)，膜厚均勻性±1.5%以下，即使連續10批次成膜也能獲得穩定的結果。

高速沉積和應力控制

采用獨特的自偏置方法，可在100nm/min以上的高速、低應力下進(jìn)行成膜。

低溫沉積

可在 80°C 的低溫下沉積。

階梯覆蓋性?xún)?yōu)異的成膜

使用液體源 TEOS 的 LSCVD® 方法可實(shí)現具有出色步進(jìn)覆蓋和嵌入特性的沉積。

控制折射率

通過(guò)添加 Ge、P 和 B 液體源，可以控制折射率。

應用示例

SAW 器件的溫度補償膜和鈍化膜

MEMS 面罩和氧化膜犧牲層

3D 封裝中 TSV（Si 通孔）側壁的絕緣膜

光波導的核心層和包層形成

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